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メトラー・トレドのサービスで半導体プロセスを強化
私たちは、お客様の仕事に精度と信頼性が不可欠であることを理解しており、当社のソリューションは、あらゆる段階でお客様をサポートするように設計されています。当社のチームは、お客様の機器をスムーズに稼働させることに専念し、お客様が最も重要なこと、つまり画期的な結果を達成することに集中できるようにします。一緒に取り組みを強化し、半導体分野のイノベーションを推進しましょう。
半導体の創製は、半導体製造に必要な超高純度の単結晶形を実現するために精製しなければならないシリコン原生から始まります。生産工場では、まずシリコンを精製し、不純物を取り除き、溶かします。これは、最終的な半導体の性能と信頼性を確保するために不可欠です。結晶成長プロセスにより、シリコン原子は固化するときに単結晶構造に再配置され、最終的に大きな円筒形のシリコンインゴットが形成されます。結晶成長中に、特定の不純物またはドーパントが添加され、結晶の電気的特性を変更し、p型またはn型半導体が生成されます。最後に、成長したシリコンインゴットは、結晶構造の応力と欠陥を除去する熱処理であるアニーリングを受け、均一性と品質を確保します。
インゴット引き込みプロセスは、閉鎖された隔離された炉内で行われ、完了までに数日の時間が必要です。したがって、インゴットの開発プロセスを確保することは、製品の歩留まりを向上させるために重要です。メトラー・トレドの 超薄型フロアスケール は、成長炉の下に設置できるため、重量データをリアルタイムで変更でき、プロセスの継続性を確保できます。
シリコンインゴットが成長したら、次の重要なステップは、それを薄いウェーハにスライスすることです。これらのウェーハは、集積回路の基板として機能します。インゴットは、最初に凹凸を取り除き、平らな表面を作成するためにトリミングされ、その後、ダイヤモンドソーまたはワイヤーソーを使用して薄いウェーハにスライスされます。通常、ウェーハは200〜300マイクロメートルの厚さにスライスされます。ラフカットウェーハは、スライスプロセスで堆積した破片や汚染物質を取り除くために徹底的に洗浄されます。
