DO Sensor UPW Polarographic ISM
Надежные датчики для контроля чистой воды.Высокопроизводительный датчик растворенного кислорода ISM демонстрирует превосходные результаты в самых ответственных задачах при работе со сверхчистой водой. Датчик обеспечивает точные результаты при нулевой концентрации и исключительно точный отклик, благодаря чему может использоваться в энергетике и микроэлектронике.
Контроль при низких уровнях кислорода
Высокопроизводительный датчик растворенного кислорода способен выполнять задачи измерения для сверхчистой воды при низких уровнях кислорода, что позволяет эффективно использовать его в энергетике и микроэлектронике.
Быстрый и точный отклик
Точность датчика позволяет эффективно использовать его в любой точке измерительного диапазона и быстро получать сведения об изменениях концентрации.
Эффективная заблаговременная диагностика
Данный датчик растворенного кислорода оснащен технологией цифрового управления датчиками (ISM), упрощающей калибровку и заблаговременную диагностику для сокращения потребностей в техническом обслуживании.
Material No.: 52201209
Характеристики
Разработаны специально для вашего процесса
Датчик специально разработан для мониторинга химических процессов на энергостанциях, для работы со сверхчистой водой при производстве полупроводников и в системах подготовки чистой воды.
Быстрый отклик и длительная стабильная работа
Благодаря конструкции, препятствующей влиянию паразитного кислорода на сигнал измерения, высокопроизводительный датчик растворенного кислорода ISM обеспечивает очень низкую инерционность нулевого зашкаливания, что помогает обеспечить успешный запуск энергостанции и отсутствие дефектов при производстве воды.
Длительный срок службы и исключительная износостойкость
Сочетая высокую производительность и длительный срок эксплуатации, используемая в датчике ISM газопроницаемая ПТФЭ-мембрана, усиленная сеткой из нержавеющей стали, обеспечивает высокую износостойкость в требовательных процессах с низким содержанием кислорода.
ISM: новая концепция технического обслуживания
Реализованная в конструкции датчика технология ISM снабжает пользователя важной информацией об износе датчика. Планирование технического обслуживания становится еще проще благодаря системе диагностики, точно прогнозирующей потребность датчика в обслуживании.
Спецификации
Технические характеристики - DO Sensor UPW Polarographic ISM
| Принцип измерения | Амперометрический / полярографический |
| Рабочий диапазон (концентрация) | 0 ppb – 10 000 ppb |
| Точность | ± 1% от показания или 1 ppb, в зависимости от того, что больше ± 0,5° С |
| Расход | 50 mL/min – 1 000 mL/min |
| Диапазон измерения температуры (по Цельсию) | 0 °C–60 °C для температурной компенсации может выдерживать 100 °C |
| Диапазон измерения температуры (по Фаренгейту) | 32 °C–140 °F для температурной компенсации может выдерживать 212 °F |
| Время отклика | 98 % за 90 секунд |
| Предусилитель | Интеграл |
| Система цифрового управления датчиками (ISM®) | Да |
| Масса | 1 кг (2 фунта) с проточным корпусом |
| Материалы, контактирующие со средой | Полифенилен-сульфидный корпус зонда Полиацеталевый проточный корпус Мембрана из ПТФЭ с упрочнением нержавеющей сталью и силиконовым каучуком, кольцевые уплотнения — Viton® и силиконовый каучук |
| кабель | 1/4” NPT(M) |
| Кабель | Н/Д |
| Номер по каталогу | 52201209 |
| Длина | 210 mm |
| Семейство моделей | Сенсоры кислорода для сверхчистой воды |
| Цифровой (ISM) или аналоговый | Цифровой (ISM) |
| Измеряемый параметр | Кислород |
| Измеряемое сопротивление давлению | 0 bar – 5 bar |
| Основная среда / область применения | Вода в полупроводниковой промышленности Вода для фармацевтического производства Вода для энергетической установки / поток |
| Автоклавируемый/стерилизуемый | Нет |
Документация
Брошюры
На протяжении многих лет Торнтон определял пределы удельного сопротивления и стал стандартом измерения удельного сопротивления в полупроводниковой про...
Дополнительная информация об оборудовании
THORNTON — лидер в производстве систем для контроля чистой и сверхчистой воды. Эти системы используются при производстве полупроводников и микроэлектр...
