研磨和化學機械拋光 （CMP） 是創建均勻平坦的晶圓表面的重要步驟。CMP 後，晶圓達到鏡面般的光潔度。

為了在用於拋光的漿料中獲得完美的機械性能，公司可以使用非接觸式稱重和計量設備進行配比。準確稱量拋光液的各個成分對於避免損壞晶圓和晶圓加工設備至關重要。梅特勒托利多的高精度稱重平臺可稱量高達 300 kg，解析度高達 750,000d。機器內部調整簡單，確保批次質量始終如一。對於重達 5000 kg 的料罐稱重應用，帶有 IND360 緊湊型自動化指示器的 PowerMount™ 稱重模組是理想的選擇。它們提供這些過程通常所需的高精度、可靠性和實時狀態監測。

這些解決方案還可以輕鬆集成到您的系統中，從而減少停機時間並簡化集成過程中的工作。

在拋光過程中，必須監測各個階段漿料混合物中分散固體的百分比，以確保最佳拋光程度。快速水份測定儀可以輕鬆高速地實現這一點。

監測 CMP 漿料的 pH 值和電導率水平對於 保持穩定的膠體漿料和確保晶圓表面的品質和一致性至關重要。pH 值的任何微小變化都會影響漿料的化學反應性和材料去除率，而電導率有助於監測晶片和漿料之間的電相互作用。為了應對這一挑戰，梅特勒托利多提供了多種在線和離線 pH 和 電導率感測器。

單獨的拋光晶圓並不適合積體電路，因為它缺乏所需的氧化劑和合適的蝕刻表面。外延生長階段沉積一層無缺陷的矽薄層，為進一步加工準備晶圓。

梅特勒托利多的台秤和 平臺秤 緊湊、可靠、堅固耐用，並通過了IP認證，有助於在一段時間內連續監測櫃式或Y型鋼瓶中的氣體。

熱氧化在晶圓上生長了一層二氧化矽，形成了對IC功能至關重要的出色絕緣體。此步驟可確保電流沿著晶元內的正確路徑流動，這是元件性能的基礎。

光刻技術通過三個步驟過程為晶圓進行蝕刻準備：

• 光刻膠應用：將光敏材料應用於晶圓。
• 遮罩和曝光：晶圓的一部分被遮罩，其餘區域暴露在紫外線下。
• 顯影：顯影曝光的光刻膠，將圖案永久轉移到晶圓上。
  

pH 值在半導體製造的光刻膠開發步驟中起著至關重要的作用。顯影液的 pH 值通常是鹼性的，對於在正極過程中溶解曝光的光刻膠或在負極過程中選擇性地去除未曝光的光刻膠至關重要。保持一致的 pH 值可確保精確的模式轉移和一致的顯影速率，防止顯影不足或過度顯影。此外，正確的 pH 平衡支援光刻膠材料的化學穩定性和靈敏度。顯影后，具有適當 pH 值的沖洗液有助於中和殘留的顯影劑並防止副反應。

為了更好地瞭解此步驟中晶元和光刻的理化行為，可以使用差示掃描量熱法 （DSC） 和 XPR 微量天平。

蝕刻，無論是化學蝕刻（使用酸和鹼）還是基於等離子體的蝕刻，都可以去除二氧化矽的暴露區域，將光刻膠圖案高精度地轉移到晶圓上。 

化學蝕刻通常涉及氫氟酸等酸或氫氧化鉀等鹼，它們決定了溶液的強度和反應性。pH 值直接影響蝕刻速率：酸性或鹼性溶液通常蝕刻得更快，而不太極端的 pH 值會減慢工藝。蝕刻溶液中 HF 和 HNO3 的濃度，以及蝕刻時形成的 H2SiF6 濃度，都可以使用連接到超越系列滴定儀的 InMotion™ 自動進樣器通過滴定安全地測定，以確保使用者安全。

紫外/可見分光光度法可以確定蝕刻劑濃度在精確蝕刻過程中保持在所需範圍內。此外，紫外/可見分光光度法通過觀察溶液吸光度的變化來説明終點檢測，從而指示蝕刻過程何時完成。

離子注入或擴散是通過將摻雜原子引入矽來完成的。這鎖定了晶片的電氣特性，在矽晶片上形成 n 型或 p 型區域

化學氣相沉積 （CVD） 或物理氣相沉積 （PVD） 在晶圓上添加一層薄膜材料，形成積體電路的輔助元件。

第二個 CMP 階段去除多餘的材料，併為下一個光刻步驟準備晶圓。該工藝確保了晶圓的最終平整度和平行度。

在化學機械平坦化 （CMP） 中，pH 值至關重要，原因有幾個。它可以防止顆粒結塊，確保漿料穩定性和一致的性能。通過調節化學活性，pH 值可通過受控反應有效去除材料。它還確保均勻和選擇性地去除材料，有助於獲得光滑的表面。此外，適當的 pH 值可最大限度地減少腐蝕和缺陷，從而獲得高品質的飾面。

焊盤現在將接收金屬層，這些金屬層將在電路的不同部分之間建立電氣連接。一旦確定了這些，最終的光刻和蝕刻工藝將完美地定義每個金屬連接，再次確保電脈衝將準確到達需要的地方。

在半導體製造中，工藝每個步驟之間的清潔對於保持晶元的最終質量至關重要。 清潔不當會留下雜質和殘留物，對晶圓製造的後續加工步驟產生負面影響，並影響產品品質。梅特勒-托利多通過提供先進的解決方案來改善製造商的運營，從而增強這一過程：

1. 稱重模組 易於集成，並在稱量清潔化學品時提供高精度。其內置的狀態監測功能使製造商確信其系統能夠可靠運行，從而降低損壞晶圓和加工設備的風險。

2. 通過遵循 良好稱量管理規範 （GWP®） 建議，製造商可以確保使用較合適的解決方案來滿足其需求，從而提高運營效率。

3. 通過對清洗槽成分的精確原位監測，製造商可以避免因影響下游加工的雜質和殘留物而引起的代價高昂的糾正措施。

4. 自動 滴定 解決方案簡化了樣品製備，無需操作員干預，從而提高了通量。這種自動化有助於製造商保持最佳的清潔解決方案效果，而不會增加人工成本。

5. 通過整合自動試劑分配和廢物處理，製造商可以通過最大限度地減少操作員接觸危險化學品來提高安全性。 

測試和檢查的最後一步現已完成。此階段因IC生產商而異，但通常涉及電氣測試、物理檢查和攝像頭輔助檢查。這些檢查檢查是否有可能損害IC功能的殘留缺陷或污染物。

最終檢查后，晶元可以進入下一階段，即 後端製造。