Estudo de Caso

Melhore a medição de oxigênio dissolvido na produção de semicondutores

Estudo de Caso

Estudo de caso sobre sensores ópticos de resposta rápida

Medição de oxigênio dissolvido
Medição de oxigênio dissolvido

Um dos maiores produtores asiáticos de semicondutores estava tendo problemas com suas medições de oxigênio dissolvido. A empresa estava utilizando um sistema caro e que, após a manutenção, precisava de três a quatro dias para que as leituras de OD (oxigênio dissolvido) tivessem estabilidade suficiente para serem utilizadas.

A fundição avaliou o sensor óptico de OD e o transmissor M800 da METTLER TOLEDO Thornton como uma solução para a medição de oxigênio dissolvido em seu sistema de água ultrapura.

A medição de oxigênio dissolvido tem tido uma prioridade alta nessa instalação de fundição de semicondutores. As expectativas da empresa eram altas, incluindo velocidade de resposta muito rápida, baixos níveis de detecção e manutenção reduzida. A METTLER TOLEDO não só atendeu como superou as expectativas ao apresentar uma solução que incluía um sensor óptico de OD e um transmissor M800. Os sensores de OD com tecnologia óptica não requerem polarização, assim, a disponibilidade do sistema de medição é muito alta. O transmissor M800 oferece capacidades multicanal e multiparâmetro, as quais permitem que a medição de OD (oxigênio dissolvido) seja combinada com a medição de outros parâmetros.

Faça o download do estudo de caso para obter os detalhes completos, incluindo os seguintes tópicos:

  • Por que medir o oxigênio dissolvido em uma fundição de semicondutores?
  • Precisão e vantagens de resposta
  • Economia em longo prazo com as medições ópticas
     

O oxigênio dissolvido é medido após a desgaseificação da água ultrapura (UPW) para confirmar a remoção do oxigênio da água. A redução do oxigênio dissolvido mantém a baixa condutividade da água, algo fundamental para as etapas de tratamento seguintes, especialmente a eletrodeionização contínua. As concentrações de oxigênio dissolvido na água do ponto de uso (POU) durante o processamento da wafer são mantidas em menos de 5 ppb para evitar a perda de controle da espessura do óxido da porta. Um POU com nível mais alto de oxigênio dissolvido pode levar à corrosão inesperada causada pela água oxigenada, o que resulta em falhas e em baixos rendimentos que representam grandes custos financeiros.